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admin imtoken下载 2022年06月29日

三星量产3bit 3D V-NAND闪存 科技日报 (0)

三星电子有限公司通过持续不断的**和探索,凭借在电视、智能手机、平板电脑、个人电脑、相机、家电、打印机、LTE通信设备、医疗设备、半导体和LED解决方案等领域的深厚积累,正在**全球的智能化发展。日前,三星电子宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内**3bitMLC3DV-NAND闪存。3bitV-NAND闪存是基于三星**代V-NAND芯片技术的*新产品,每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成,单片闪存的存储容量可达128Gb。利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术,各个存储单元把电荷存储在绝缘体中,并通过存储单元阵列一层接一层地向上垂直堆叠,制造出含有数十亿个存储单元的芯片。该款产品单个存储单元容量为3bit,每片芯片存储单元阵列垂直堆叠32层,因而大大提高了生产效率。与三星的10纳米级3bit平面闪存相比,新推出的3bitV-NAND立体闪存的晶圆生产效率提高了一倍以上。三星于2013年8月推出了**代24层V-NAND闪存,并在今年5月宣布了**代32层V-NAND存储单元阵列结构。而本月量产3bit32层V-NAND闪存,则标志着三星正在通过加速V-NAND量产技术

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